22:35 ICT Chủ nhật, 25/06/2017

CHUYÊN MỤC

Thống kê

Đang truy cậpĐang truy cập : 32

Máy chủ tìm kiếm : 1

Khách viếng thăm : 31


Hôm nayHôm nay : 481

Tháng hiện tạiTháng hiện tại : 11385

Tổng lượt truy cậpTổng lượt truy cập : 707440

Trang nhất Home » Chuyên mục » BỘ MÔN TRỰC THUỘC » Trung tâm Thực hành Đ - ĐT » Danh mục cán bộ

ThS. Đặng Văn Khanh

Thứ sáu - 07/09/2012 22:00
ThS. Đặng Văn Khanh
Đặng Văn Khanh 06 – 10 -1971 Giảng viên Khoa Điện – Điện tử, ĐHSPKT 0904.346.773 dangvankhanh@utehy.edu.vn
 
Họ và tên: Đặng Văn Khanh
Học hàm, học vị:  
Ngày sinh: 06 – 10 -1971
Vị trí công tác: Giảng viên Khoa Điện – Điện tử, ĐHSPKT
Điện thoại: 0904.346.773
Email: dangvankhanh@utehy.edu.vn
 
1. Các môn đảm nhiệm: KT Điện tử; KT số; Vi xử lý; Vi điều khiển                                     
 
2. Lĩnh vực nghiên cứu: Kỹ thuật điện tử số _Kỹ thuật Vi xử lý _Điện tử học Spin
 
3. Quá trình đào tạo
Bằng cấp Năm tốt nghiệp Viện/Trường tốt nghiệp
Đại học 2002 Đại học SPKT- TP Hồ Chí Minh
Thạc sỹ   Viện đào tạo quốc tế về khoa học vật liệu (ITIMS)
4. Tóm tắt quá trình công tác : Tháng 08 năm 2003 đến nay công tác tại ĐHSPKT - HY
 
5. Các công trình nghiên cứu điển hình:
-   CN Đề tài cấp trường: Xây dựng hệ thống bài giảng và mô hình thiết bị TT-VĐK (2006)
-   CN Đề tài cấp trường: Chế tạo thiết bị Test các loại vi mạch số qua máy tính (2008)
-   CN Đề tài : Nghiên cứu hiện tượng xuyên ngầm Spin trong cấu trúc MTJ (2009)
-   Đề tài cấp bộ : Chế tạo thiết bị đo các đại lượng không điện ứng dụng hiệu ứng van Spin (nghiên cứu viên 2010 - 2012)
 
6. Sách, giáo trình, tài liệu và báo cáo đã xuất bản
-   Bài giảng kỹ thuật VXL (2008) _ Lưu hành nội bộ
-   Bài giảng kỹ thuật VĐK (2009) _ Lưu hành nội bộ
 
7. Một số bài báo điển hình
X�b<x�� ��� e='font-family:"Times New Roman","serif"; mso-fareast-font-family:"Times New Roman";color:#333333'>
5. Pham Xuan Hien, Do Anh Tuan, and Byung-Hoon Jeon, “Electron Collision Cross Sections for the TMS Molecule and Electron Transport Coefficients in TMS-Ar andTMS-O2 Mixtures,” Journal of the Korean Physical Society, vol. 61, no. 1, pp. 62-72, Jul. 2012. (Link) (SCI)
4. Do Anh Tuan and Byung-Hoon Jeon, “Electron Collision Cross Sections for the Tetraethoxysilane Molecule and Electron Transport Coefficients in Tetraethoxysilane-O2 and Tetraethoxysilane-Ar Mixtures,” Journal of the Physical Society of Japan, vol.81, no. 6, pp. 064301-1–8, Jun. 2012. (Link) (SCI)
3. Do Anh Tuan and Byung-Hoon Jeon, “Electron Collision Cross Sections for the Cl2 Molecule from Electron Transport Coefficients,” Journal of the Physical Society of Japan, vol. 80, no. 8, pp. 084301-1–5, Jul. 2011. (Link) (SCI)
2. Do Anh Tuan and Byung-Hoon Jeon, “Determination of the Vibrational Excitation Cross-section for the F2 Molecule in a Plasma Discharge Simulation,” Journal of the Korean Physical Society, vol. 58, no. 4, pp. 765-770, Apr. 2011. (Link) (SCI)
1. Do Anh Tuan and Byung-Hoon Jeon, “Determination of the Momentum Transfer Cross-section for the Cl2 Molecule in a Plasma Discharge Simulation,” Journal of the Korean Physical Society, vol. 57, no. 5, pp. 1224-1228, Nov. 2010. (Link) (SCI)
II) Conference Papers
3. Do Anh Tuan and Byung-Hoon Jeon, “Analysis and Computation of Electron Transport Coefficients in Cl2-He Mixtures Using a Two-term Approximation of the Boltzmann Equation for Energy“, 5th International Conference on High Performance Scientific Computing, March 5-9, 2012, Hanoi, Vietnam.
2. Eung-Won Shim, Do Anh Tuan, and Byung-Hoon Jeon, “A Study on Characteristics of the CF3I-Xe Mixture Gases in a Plasma Discharge Simulation,” Proceedings of the 42nd the KIEE Summer Conference 2011, pp. 1582-1583, Jul. 2011. [in Korean]
1. Do Anh Tuan, Eung-Won Shim, and Byung-Hoon Jeon, “Initial Electron Collision Cross Sections Set of F2 Molecular Gas for Plasma Discharge Simulation,” Proceedings of the 41st the KIEE Summer Conference 2010, pp. 1366-1367, Jul. 2010.
Từ khóa: n/a

Những tin mới hơn